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Si1970DH
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
30
R DS(on) ( Ω )
0.225 at V GS = 4.5 V
0.345 at V GS = 2.5 V
I D (A) a
1.3 a
1.3 a
Q g (Typ.)
1.15 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
APPLICATIONS
? Load Switch for Portable Applications
S 1
1
6
D 1
D 1
D 2
Marking Code
G 1
2
5
G 2
CD
XX
Lot Tracea b ility
D 2
3
4
S 2
and Date Code
Part # Code
G 1
G 2
Top V ie w
Orderin g Information: Si1970DH-T1-E3 (Lead (P b )-free)
S 1
S 2
Si1970DH-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
30
± 12
1.3 a
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
T C = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
T C = 25 °C
I D
I DM
I S
1.3 a
1.3 a
1.1
4
1.0
0.61 c
1.25
A
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
0.8
0.74 b, c
W
T A = 70 °C
0.47 b, c
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature) d, e
T J , T stg
- 55 to 150
260
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient b, f
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady State
R thJA
R thJF
130
80
170
100
°C/W
Notes:
a. Package limited.
b. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
c. t = 5 s.
d. Maximum under steady state conditions is 220 °C/W.
Document Number: 74343
S10-0721-Rev. B, 29-Mar-10
www.vishay.com
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